냉전

[2월1일] 이란 지도자 호메이니 망명 끝, 통치 시작

2010년 삼성전자, 세계 최초 30나노급 D램 개발 2010년 2월1일 삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램 개발에 성공, 하반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 발표했다. 반도체 소자에 들어가는 회로의 선폭이 30nm(나노미터)급인 이 제품은 기존 40나노급 D램보다 생산성을 60% 가량 올릴 수 있고 50∼60나노급 D램보다 2배 이상의 원가 경쟁력을 갖고 있는…

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